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参数目录39887
> NGD8201NT4G IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V DPAK
型号:
NGD8201NT4G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
IGBT IGNIT N-CHAN 20A 400V DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
NGD8201NT4G PDF
标准包装
1
系列
-
IGBT 类型
-
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
440V
Vge, Ic时的最大Vce(开)
1.9V @ 4.5V,20A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
20A
功率 - 最大
125W
输入类型
逻辑
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
DPAK-3
包装
剪切带 (CT)
其它名称
NGD8201NT4GOSCT
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